DMN2014LHAB-7（Diodes）-南皇電子|電子元器件代理

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DMN2014LHAB-7（Diodes） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：DMN2014LHAB-7

制造廠商：Diodes

技術規格：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳情：

製造商產品型號：DMN2014LHAB-7

製造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：9A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：13 毫歐 @ 4A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA

不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 10V

功率-最大值：800mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-UFDFN

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DMN2014LHAB-7（制造商：Diodes），技術規格MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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