2DB1132R-13（Diodes）-南皇電子|電子元器件代理

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2DB1132R-13（Diodes） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：2DB1132R-13

制造廠商：Diodes

技術規格：TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

功能類別：電晶體 - 雙極性電晶體（BJT）- 單個

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技術參數詳情：

製造商產品型號：2DB1132R-13

製造商：Diodes Incorporated

描述：TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

系列：電晶體 - 雙極性電晶體（BJT）- 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

電晶體類型：PNP

電流-集電極(Ic)（最大值）：1A

電壓-集射極擊穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：180 @ 100mA，3V

功率-最大值：1W

頻率-躍遷：190MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-243AA

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2DB1132R-13（制造商：Diodes），技術規格TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 電晶體 - 雙極性電晶體（BJT）- 單個

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