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BCY59-VIII PBFREE(Central) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
BCY59-VIII PBFREE圖片
基本資料:
  • 零件型號:BCY59-VIII PBFREE
  • 制造廠商:Central
  • 技術規格:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
  • 功能類別:電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 單個
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:BCY59-VIII PBFREE
  • 製造商:Central Semiconductor Corp
  • 描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
  • 系列:電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • 電晶體類型:NPN
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):45V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA
  • 電流-集電極截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V
  • 功率-最大值:1W
  • 頻率-躍遷:150MHz
  • 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
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    BCY59-VIII PBFREE(制造商:Central),技術規格THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 單個
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